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儀器設備

三維奈米拉曼螢光顯微鏡系統(3D Raman)

型號:Tokyo Instruments, INC.

規格:

  • HeNe Laser (632.8nm)
  • Semiconductor Laser (488nm)
  • Inverted Microscope (Nikon Eclips TE2000-U)
  • XYZ scanning stage system (NT-MDT)
  • XY resolution = 2 nm Z resolution = 1 nm (in close-loop)
  • CCD Detector (Andor DU401-BV)

功能:奈米尺度拉曼、螢光光譜分析,固態表面性質掃圖,生物系統樣品量測

使用規則

多功能掃描探針顯微鏡

型號:BRUKER Dimension Icon

解析度:X-Y<1.0nm,Z<0.1nm。

功能:Contact mode, Tapping mode, Non-contact mode, Force curve, Magnetic Force mode, Lateral Force mode, Conductive AFM mode, Scanning Probe Lithography, Scanning Capacitance Microscopy等功能。

Scan range:90 μm x 90 μm x 6 μm。

主要附件:Close Loop。

使用規則

原子力顯微鏡

型號:Park NX-10

解析度:X-Y<1.0nm,Z<0.1nm。

功能:Contact mode, Tapping mode, Non-contact mode, Force curve, Magnetic Force mode, Lateral Force mode, Conductive AFM mode, Lithography, Scanning Capacitance Microscopy等功能。

主要附件:Close Loop。

使用規則

場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)

型號:ZEISS ULTRA PLUS

加速電壓:最小加速電壓0.02kV, 最大加速電壓30kV, 電壓可調整之最小刻度10 Volt

解析度:1.0 nm at 15kV at WD= 2mm。1.7 nm at 1kV at WD= 2mm。3.5 nm at 0.2kV at WD= 2mm。4.0 nm at 0.1kV at WD =2mm

電子束流:4pA ~ 20pA

倍率:12X-1,000,000X (SE mode) 與 100X-1,000,000 (BSE mode)

物鏡:為電磁與靜電透鏡組,以降低磁場對磁性材料之影響

工作距離:1mm ~ 50mm

訊號偵測器:

  1. 具有在光軸上 360 度環狀 fully In-lens 二次電子偵測器。
  2. 具有樣品室二次電子偵測器, Bias 可調整 -250V ~ 400V。
  3. 具有光軸上 360度環狀 fully In-Lens能量與角度選擇背向電子偵測器, 並具備能量過濾 柵欄 0V to -1.5kV Bias 調整以過濾二次電子雜訊。
  4. 具有 IR-CCD。
  5. 5. 4-Q 角度選擇背向電子偵測器 (Angel selective Solid state BSE detector) 功能, 可加裝於 物鏡下方(10mm)。
  6. 電荷累積消除補償器。

主要附件:EDS能譜分析儀(OXFORD X-Max 50 mm2)

使用規則

高解析度穿透式電子顯微鏡(HR-TEM)

型號:日本JEOL JEM-2010

規格:

  • 加速電壓:80,100,120,160,200KV
  • 放大倍率:50倍-150萬倍
  • 解析度:0.25nm(Point Resolution),0.14nm(Lattice Resolution)
  • 燈絲:單晶六硼化鑭(LaB6)

功能:明視野,暗視野,選區繞射,NBD,收斂束電子繞射(CBD)等模式

試片傾斜角度:±35度

主要附件:掃描影像觀察原件(Scanning Image Observation Device),能量分散光譜儀(EDS)

使用規則

精密離子打薄機

型號:Gatan Model 691

離子束能量:2 KeV to 6 KeV。

打薄角度: 10° to -10°。

離子束直徑:350 μm FWHM at 5 KeV to 800 μm for Broad Beam。

離子電流密度:10 mA/cm2 Peak。

試片尺寸:直徑3 mm。

試片旋轉:1 to 6 rpm。

Single or double sector for exceptional cross-sectioning。

Dry Pumping System Molecular drag pump backed by a 2-Stage diaphragm pump, 5E-6 Torr 背壓,8E-5 Torr 操作。

儀器性能:利穿透式電子顯微鏡觀察用,除了高分子材料及高揮發性或低耐熱性材料外,其餘固態材料均適用。

使用規則

可變溫式超高真空掃描探針顯微鏡(SPM)

型號:日本 JEOL JSPM-4500A

規格:

  • 垂直解析度:STM(0.01nm), AFM(0.1nm)
  • 水平解析度:STM(0.14nm), AFM(0.1nm)
  • 樣品大小:1~2mm(Width), 7~10mm(Length) , 0.3~0.4mm(Thickness)
  • 溫度範圍:20~1500K
  • 幫浦系統:Ion, Turbo Molecular, Rotary and TSP pumps
  • 真空壓力:< 1x10-8 Pa
  • 掃瞄速度:0.8ms/line to 5s/line (in 16 steps)
  • STM tip material:W or PtIr
  • AFM cantilever material:Si 3 N 4 or Si
  • Tunneling current(STM):50pA to 1μA
  • Atomic force(contact mode):10pN to 10nN
  • Frequency shift(non-contact mode):10 to 3000 Hz

使用規則

倒立式雷射掃瞄式共軛焦顯微影像系統

型號:Leica SP5

服務項目:

  1. 螢光定量分析、量測功能(Fluoresence quantification) 。
  2. 多重螢光染色呈像(Multiple fIuorescence) 。
  3. 細胞間聯繫偵測(Cell communication) 。
  4. 結構檢查---三度空間切割(Structure examinations) 。
  5. 動態三維空間效果(Impression of 3D motions) 。
  6. 免疫螢光染色樣品之製備方法諮詢。

主要附件:

  • 共軛焦分光光譜掃描系統
  • 共軛焦專用全自動倒立螢光顯微鏡(可供紫外光雷射通過 )
  • 多重雷射系統與AOTF控制系統
  • 系統電腦及影像處理工作站

使用規則

雙掃描式光譜式雷射共軛焦顯微鏡(FV-1000/Olympus)

型號:FV-1000/Olympus

離子束能量:2 KeV to 6 KeV。

打薄角度: 10° to -10°。

離子束直徑:350 μm FWHM at 5 KeV to 800 μm for Broad Beam。

離子電流密度:10 mA/cm2 Peak。

試片尺寸:直徑3 mm。

試片旋轉:1 to 6 rpm。

Single or double sector for exceptional cross-sectioning。

Dry Pumping System Molecular drag pump backed by a 2-Stage diaphragm pump, 5E-6 Torr 背壓,8E-5 Torr 操作。

儀器性能:利穿透式電子顯微鏡觀察用,除了高分子材料及高揮發性或低耐熱性材料外,其餘固態材料均適用。

使用規則